6.2.1 防雷區(qū)的劃分應(yīng)符合下列規(guī)定：
      1 本區(qū)內(nèi)的各物體都可能遭到直接雷擊并導(dǎo)走全部雷電流，以及本區(qū)內(nèi)的雷擊電磁場(chǎng)強(qiáng)度沒(méi)有衰減時(shí)，應(yīng)劃分為L(zhǎng)PZO_A區(qū)。
      2 本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到大于所選滾球半徑對(duì)應(yīng)的雷電流直接雷擊，以及本區(qū)內(nèi)的雷擊電磁場(chǎng)強(qiáng)度仍沒(méi)有衰減時(shí)，應(yīng)劃分為L(zhǎng)PZO_B區(qū)。
      3 本區(qū)內(nèi)的各物體不可能遭到直接雷擊，且由于在界面處的分流，流經(jīng)各導(dǎo)體的電涌電流比LPZO_B區(qū)內(nèi)的更小，以及本區(qū)內(nèi)的雷擊電磁場(chǎng)強(qiáng)度可能衰減，衰減程度取決于屏蔽措施時(shí)，應(yīng)劃分為L(zhǎng)PZ1區(qū)。
      4 需要進(jìn)一步減小流入的電涌電流和雷擊電磁場(chǎng)強(qiáng)度時(shí)，增設(shè)的后續(xù)防雷區(qū)應(yīng)劃分為L(zhǎng)PZ2···n后續(xù)防雷區(qū)。
6.2.2 安裝磁場(chǎng)屏蔽后續(xù)防雷區(qū)、安裝協(xié)調(diào)配合好的多組電涌保護(hù)器，宜按需要保護(hù)的設(shè)備的數(shù)量、類型和耐壓水平及其所要求的磁場(chǎng)環(huán)境選擇（圖6.2.2）。

（a）采用大空間屏蔽和協(xié)調(diào)配合好的電涌保護(hù)器保護(hù)
 注：設(shè)備得到良好的防導(dǎo)入電涌的保護(hù)，U₂大大小于U₀和I₂大大小于I₀，以及H₂大大小于H₀防輻射磁場(chǎng)的保護(hù)。
       
（b）采用LPZ1的大空間屏蔽和進(jìn)戶處安裝電涌保護(hù)器的保護(hù)
 注：設(shè)備得到防導(dǎo)入電涌的保護(hù)，U₁小于U₀和I₁小于I₀，以及H₁小于H₀防輻射磁場(chǎng)的保護(hù)。


（d）僅采用協(xié)調(diào)配合好的電涌保護(hù)器保護(hù) 
注：設(shè)備得到防線路導(dǎo)入電涌的保護(hù)，U₂大大小于U₀和I₂大大小于I₀，但不需防H₀輻射磁場(chǎng)的保護(hù)。
圖6.2.2  防雷擊電磁脈沖
MB—總配電箱；SB—分配電箱；SA—插座

6.2.3 在兩個(gè)防雷區(qū)的界面上宜將所有通過(guò)界面的金屬物做等電位連接。當(dāng)線路能承受所發(fā)生的電涌電壓時(shí)，電涌保護(hù)器可安裝在被保護(hù)設(shè)備處，而線路的金屬保護(hù)層或屏蔽層宜首先于界面處做一次等電位連接。
注：LPZO_A與LPZO_B區(qū)之間無(wú)實(shí)物界面。

 

條文說(shuō)明
 

6.2 防雷區(qū)和防雷擊電磁脈沖
6.2.1 將需要保護(hù)的空間劃分為不同的防雷區(qū)，以規(guī)定各部分空間不同的雷擊脈沖磁場(chǎng)強(qiáng)度的嚴(yán)重程度和指明各區(qū)交界處的等電位連接點(diǎn)的位置。
各區(qū)以在其交界處的電磁環(huán)境有明顯改變作為劃分不同防雷區(qū)的特征。
通常，防雷區(qū)的數(shù)越高，其電磁場(chǎng)強(qiáng)度越小。一建筑物內(nèi)電磁場(chǎng)會(huì)受到如窗戶這樣的洞的影響和金屬導(dǎo)體(如等電位連接帶、電纜屏蔽層、管子)上電流的影響以及電纜路徑的影響。
將需要保護(hù)的空間劃分成不同防雷區(qū)的一般原則見(jiàn)圖15。

圖15  將一個(gè)需要保護(hù)的空間劃分為不同防雷區(qū)的一般原則

6.2.2 圖6.2.2引自IEC 62305—4:2010第14頁(yè)、第15頁(yè)的圖2。
雷擊對(duì)建筑物內(nèi)電氣系統(tǒng)和電子系統(tǒng)的有害影響簡(jiǎn)介于下。
侵害源：雷電流及其相應(yīng)磁場(chǎng)是原始侵害源，磁場(chǎng)的波形與雷電流的相同。涉及保護(hù)時(shí)，雷擊電場(chǎng)的影響通常是次要的。
原始侵害源是LEMP。根據(jù)防雷建筑物的不同類別(第一類、第二類、第三類)按本規(guī)范附錄F的表F.0.1-1、表F.0.1-2和表F.0.1-3選取I_o。
I_o正極性首次沖擊電流波10／350μs，I_o分別為：200kA、150kA、100kA；負(fù)極性首次沖擊電流波1／200μs，I_o分別為：100kA、75kA、50kA；負(fù)極性首次以后(后續(xù))的沖擊電流波0.25／100μs，I_o分別為：50kA、37．5kA、25kA。
H _o沖擊電磁波10／350μs、1／200μs和0.25／100μs，從I_o導(dǎo)出。
被害物：安裝在建筑物內(nèi)或其上的建筑物內(nèi)系統(tǒng)，僅具有有限的耐電涌和耐磁場(chǎng)水平，當(dāng)其遭受首次雷擊作用及其以后(后續(xù))電流的磁場(chǎng)作用下時(shí)，可能被損害或錯(cuò)誤地運(yùn)行。安裝在建筑物外并處在暴露位置的系統(tǒng)，由于遭遇的電涌可能達(dá)到直接雷擊的全電流和沒(méi)有衰減的磁場(chǎng)，可能遇到的風(fēng)險(xiǎn)較大。安裝在建筑物內(nèi)的系統(tǒng)，由于遭遇的磁場(chǎng)是剩下的衰減磁場(chǎng)和內(nèi)部的電涌是傳導(dǎo)和感應(yīng)而產(chǎn)生的，以及外部電涌是經(jīng)引入線路傳導(dǎo)而來(lái)的，可能遇到的風(fēng)險(xiǎn)較小。
被害物(設(shè)備)的耐受水平：
      1 220／380V設(shè)備的耐沖擊電壓水平U_w見(jiàn)本規(guī)范表6.4.4，它引自《低壓電氣裝置——第4-44部分：安全防護(hù)——電壓騷擾和電磁騷擾防護(hù)》IEC 60364—4-44:2007第18頁(yè)的表44.B。
      2 電信裝置的耐受水平參見(jiàn)ITU-T建議標(biāo)準(zhǔn)《電信中心電信設(shè)備耐過(guò)電壓過(guò)電流的能力》K．20:2003(Resistibility of telecommunication equipment installed in a telecommunications center to overvoltages and overcurrents)和《用戶電信設(shè)備耐過(guò)電壓過(guò)電流的能力》K．21:2003(Resistibility of telecommunication equtpment installed in customer premises to overvoltages and overcurrents)
      3 一般通用設(shè)備的耐受水平在其產(chǎn)品說(shuō)明書有規(guī)定或可做以下試驗(yàn)：
        1)防傳導(dǎo)電涌采用IEC 61000—4—5:2005 Ed.2.0《Electromagnetic compatibility(EMC)——Part 4—5:Test and Measurement techniques—Surge immunity test，電磁兼容(EMC)，第4—5部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)——電涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》標(biāo)準(zhǔn)，耐電壓水平的試驗(yàn)U_oc為0.5-1-2-4kV(沖擊電壓波形1.2／50μs)和耐電流水平的試驗(yàn)I_sc為0.25-0.5-1-2kA(沖擊電流波形8／20μs)。
有些設(shè)備為了滿足上述標(biāo)準(zhǔn)的要求，可能在設(shè)備內(nèi)裝有SPD，它們可能影響協(xié)調(diào)配合的要求。
上述標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)》GB／T 17626．5—1999(等效IEC 61000—4—5：1995）
        2)防磁場(chǎng)(強(qiáng)度)采用IEC 61000—4—9:2001 Ed.1.1《Electromagnetic compatibility(EMC)——Part 4——9：Test and Measurement techniques—Pulse magnetic field immunity test，電磁兼容(EMC)，第4—9部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)——脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)》標(biāo)準(zhǔn)，用以下磁場(chǎng)強(qiáng)度做試驗(yàn)：100—300—1000A／m(8／20μs波形)。
上述標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 脈沖磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)》GB／T 17626．8—1998(等效IEC 61000—4—9:1993)。
并采用IEC 61000—4—10: 2001 Ed．1．《Electromagnetic compatibility(EMC)——Part 4-10：Test and measurement techniques—Damped oscillatory magnetic field immunity test，電磁兼容(EMC)，第4—10部分：試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)——阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)》標(biāo)準(zhǔn)，用以下磁場(chǎng)強(qiáng)度做試驗(yàn)：10-30-100A／m(在1MHz頻率條件下)。
上述標(biāo)準(zhǔn)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)為《電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 阻尼振蕩磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)》GB／T 17626．9—1998(等效IEC 61000—4—10: 1993)。
IEC 61000—4—9和IEC 61000—4—10規(guī)定試驗(yàn)的波形是阻尼振蕩波，可用于確定設(shè)備耐受由首次正極性雷擊和后續(xù)雷擊磁場(chǎng)波頭陡度所產(chǎn)生的磁場(chǎng)強(qiáng)度。